База ГОСТ РФ
Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА
31. ЭЛЕКТРОНИКА
← 1 2 3 4 5 … 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 … 232 233 234 235 236 →
- Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме
Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме - Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума
Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума - Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума
Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума - Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума
Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума - Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока
Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА - Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока
Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА - Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока
Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА - Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток
Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора - Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток
Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора - Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток
Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора
← 1 2 3 4 5 … 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 … 232 233 234 235 236 →
